特許
J-GLOBAL ID：201103099365251932

半導体記憶装置

発明者：
丹沢 徹

丹沢 徹 について

, 
田中 智晴

田中 智晴 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-098852
公開番号（公開出願番号）：特開平9-288898
特許番号：特許第3519542号
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】複数本のビット線と複数本のワード線の交差部にメモリセルを配置してなるメモリセルアレイと、ビット線に選択的に接続され、メモリセルのデータを読み出す時にデータに応じたビット線電圧をセンスし、メモリセルにデータを書き込む時に書き込みデータに応じた電圧をビット線に出力するセンスアンプ兼ラッチ回路と、ビット線に選択的に接続され、メモリセルにデータを書き込む時にセンスアンプ兼ラッチ回路に接続されないビット線にメモリセルのデータを変更しない電圧を出力するプリチャージ回路とを備えた半導体記憶装置において、前記メモリセルの動作テストのために、前記センスアンプ兼ラッチ回路を全てのビット線に非接続状態とし、前記プリチャージ回路を全てのビット線に接続して該ビット線に書き込み電圧又は非書き込み電圧を出力させ、選択されたワード線を共有する複数のメモリセルに対して一括に同一データを書き込むモードを有することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 29/00 671 ,  G11C 11/401 ,  G11C 11/413 ,  G11C 16/02
FI (5件)：
G11C 29/00 671 P ,  G11C 17/00 641 ,  G11C 11/34 341 D ,  G11C 11/34 371 A ,  G11C 11/34 371 E
引用特許：
審査官引用 (4件)
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