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J-GLOBAL ID：201202224405967394   整理番号：12A1309342

レジストモデル高分子のパルスラジオリシス

著者 (8件)： 岡本一将 (JST-CREST) ,  岡本一将 (北大 大学院) ,  藤吉亮子 (北大 大学院) ,  住吉孝 (北大 大学院) ,  古澤孝弘 (JST-CREST) ,  古澤孝弘 (大阪大 産科研) ,  田川精一 (JST-CREST) ,  田川精一 (大阪大 産科研)
資料名： 日本原子力学会秋の大会予稿集(CD-ROM)  (日本原子力学会秋の大会(CD-ROM))
巻： 2012  ページ： ROMBUNNO.K23  発行年： 2012年09月03日 
JST資料番号： S0818B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年の半導体リソグラフィ技術の進展により,加工材料であるレジスト材料の放射線誘起反応の解明が重要となっている。本研究では,パルスラジオリシス法を用いて,ポリ(4-ヒドロキシスチレン)溶液や極薄膜ポリスチレン中での放射線化学反応について研究を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： *パルス放射線分解 ,  *高分子 ,  *レジスト ,  ポリスチレン ,  超薄膜 ,  放射線化学反応

分類 (1件)： 放射線化学反応  (CB09020M)

物質索引 (1件)： 4-ヒドロキシスチレン

タイトルに関連する用語 (4件)： レジスト ,  モデル ,  高分子 ,  パルスラジオリシス