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J-GLOBAL ID：201202234962559350   整理番号：12A0587185

ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの作製

著者 (7件)： 小松原彰 (早稲田大 理工) ,  堀匡寛 (早稲田大 理工) ,  熊谷国憲 (早稲田大 理工) ,  谷井孝至 (早稲田大 理工) ,  寺地徳之 (物材研) ,  磯谷順一 (筑波大) ,  品田賢宏 (早大 高等研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.17P-F3-2  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *イオン注入 ,  *発光中心 ,  イオン ,  空格子点 ,  窒素 ,  10-100keV ,  陰極線ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  化学蒸着 ,  低エネルギーイオン ,  NV中心 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： 窒素空孔中心

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： ダイヤモンド ,  低エネルギーイオン ,  注入 ,  センター ,  作製