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J-GLOBAL ID：201302200214273660   整理番号：13A0852826

MBD法により作製したMetal/High-k/GeO₂/Geスタックの熱処理による構造変化

著者 (8件)： 秀島伊織 (大阪大 大学院) ,  田中亮平 (大阪大 大学院) ,  箕浦佑也 (大阪大 大学院) ,  吉越章隆 (原子力機構) ,  寺岡有殿 (原子力機構) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.28P-G2-10  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 変化 ,  *熱処理 ,  *MIS構造 ,  誘電体薄膜 ,  酸化ゲルマニウム ,  ゲルマニウム ,  金属 ,  界面 ,  電極 ,  漏れ電流 ,  ECRプラズマ ,  X線光電子分光法 ,  熱安定性 ,  アルミニウム ,  結合エネルギー ,  電子ビーム蒸着 ,  酸化ハフニウム ,  アルミニウム電極 ,  構造変化 ,  酸素プラズマ ,  二酸化ゲルマニウム ,  高誘電率薄膜 ,  プラズマ
準シソーラス用語： Al-Ge結合 ,  high-k膜 ,  *ゲートスタック

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 作製 ,  GeO2 ,  Ge ,  スタック ,  熱処理 ,  構造変化