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J-GLOBAL ID：201402255003616959   整理番号：14A1097962

X線回折法による半極性(20-21)GaN膜の膜厚・成長条件依存性評価

著者 (10件)： 内山星郎 (大阪大 大学院) ,  竹内正太郎 (大阪大 大学院) ,  荒内琢士 (大阪大 大学院) ,  橋本健宏 (山口大 大学院) ,  中村芳明 (大阪大 大学院) ,  山根啓輔 (山口大 大学院) ,  山根啓輔 (豊橋技科大) ,  岡田成仁 (山口大 大学院) ,  只友一行 (山口大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.17P-C5-3  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *X線回折 ,  極性 ,  *窒化ガリウム ,  *薄膜成長 ,  電子顕微鏡観察 ,  MOCVD ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  半極性
準シソーラス用語： MOVPE ,  *X線回折パターン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： X線回折法 ,  半極性 ,  GaN ,  膜厚 ,  成長条件 ,  依存性 ,  評価