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J-GLOBAL ID：201802251980373839   整理番号：18A1698771

SiO₂/p-GaN界面の熱酸化過程の放射光XPS分析

著者 (10件)： 山田高寛 (大阪大 大学院) ,  寺島大貴 (大阪大 大学院) ,  野崎幹人 (大阪大 大学院) ,  山田永 (産業技術総合研) ,  高橋言諸 (産業技術総合研) ,  清水三聡 (産業技術総合研) ,  吉越章隆 (原子力発電技術機構) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.19p-CE-9  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *熱酸化 ,  *界面 ,  P型半導体 ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *二酸化ケイ素 ,  X線光電子分光法 ,  シンクロトロン放射 ,  エピタクシー ,  内殻準位

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiO2 ,  GaN ,  界面 ,  熱酸化 ,  過程 ,  放射光 ,  XPS分析