特許

J-GLOBAL ID：201803019414103640

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 渡部 平司 ,  山田 高寛 ,  野▲崎▼ 幹人 ,  細井 卓治 ,  志村 考功
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学
代理人 (1件)： 前井 宏之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-541989
特許番号：特許第6245593号
出願日： 2016年08月31日
要約：

【要約】 半導体装置(100)は、下地層(10)と、界面層(20)と、堆積層(30)とを備える。下地層(10)は、ガリウムを有する窒化物半導体を含む。界面層(20)は、下地層(10)に隣接する。界面層(20)は、酸化ガリウムを含む。堆積層(30)は、界面層(20)に隣接する。堆積層(30)は、界面層(20)よりもバンドギャップが大きい。界面層(20)は結晶性を有することが好ましい。界面層(20)はα相Ga2O3を有することが好ましい。

請求項（抜粋）：

【請求項1】 ガリウムを有する窒化物半導体を含む下地層と、 前記下地層に隣接し、酸化ガリウムを含む界面層と、 前記界面層に隣接し、前記界面層よりもバンドギャップが大きい堆積層と を備え、 前記界面層はα相Ga2O3を有する、半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/314 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01)

FI (9件)：

H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/314 M ,  H01L 21/316 B ,  H01L 21/316 S

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-052723   出願人：松下電器産業株式会社
• GaN系絶縁ゲート形電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-137493   出願人：古河電気工業株式会社