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J-GLOBAL ID：201902248863168688   整理番号：19A1374568

高出力因子Si-rich SiGe/Si超格子における更なる低熱伝導率化

著者 (5件)： 谷口達彦 (大阪大 大学院) ,  石部貴史 (大阪大 大学院) ,  ALAM Md. Mahfuz (東京都市大) ,  澤野憲太郎 (東京都市大) ,  中村芳明 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10a-W351-4  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景・目的】ユビキタス元素材料のSiは、室温で高い熱電変換出力因子(~45 μWcm-1K-2)を示す一方で、高い熱伝導率(~150 Wm-1K-1)を有するため、熱電性能は低い。我々は、界面フォノン散乱による低熱伝導率化が期待できる超格...【本文一部表示】

シソーラス用語： *半導体材料 ,  *ケイ素 ,  *超格子 ,  *熱伝導率 ,  減少 ,  熱電気変換 ,  *性能指数 ,  MBE成長 ,  散乱 ,  原子散乱 ,  フォノン散乱
準シソーラス用語： *SiGe ,  低減 ,  熱電変換 ,  *熱電性能指数 ,  分子線エピタクシー成長

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 出力因子 ,  Si ,  RICH ,  SiGe ,  超格子 ,  熱伝導率