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J-GLOBAL ID：201902250462353241   整理番号：19A1376531

NaフラックスGaNバルク単結晶の単独転位における漏れ電流特性とバーガースベクトルの解析

著者 (5件)： 濱地威明 (大阪大 大学院) ,  藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  今西正幸 (大阪大 大学院) ,  森勇介 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.12a-W541-10  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】パワーデバイス用基板応用に向けたGaN結晶の更なる高品質化のためには、転位における漏れ電流発生機構の解明が最重要課題である。これまでに我々は、Naフラックス成長させたGaN結晶の大部分を占めるc面成長領域(cGS)上の転位では漏れ電...【本文一部表示】

シソーラス用語： *ナトリウム ,  *液体金属 ,  *フラックス法 ,  *窒化ガリウム ,  単結晶 ,  *転位【結晶】 ,  漏れ電流 ,  Burgersベクトル ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  格子転位 ,  *液体金属ナトリウム ,  *格子欠陥
準シソーラス用語： *液体ナトリウム ,  バーガースベクトル ,  SEM【顕微鏡】 ,  TEM【顕微鏡】

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (9件)： Na ,  フラックス ,  GaN ,  バルク ,  単結晶 ,  転位 ,  漏れ電流 ,  バーガースベクトル ,  解析