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J-GLOBAL ID：201902284941572204   整理番号：19A1369626

放射光ナノビームX線回折による窒化物半導体HEMTデバイスにおける圧電応答局所格子変形ダイナミクスの観測

著者 (8件)： 植田瑛 (大阪大 大学院) ,  藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  安藤祐次 (北大 量エレ研) ,  橋詰保 (北大 量エレ研) ,  今井康彦 (JASRI) ,  隅谷和嗣 (JASRI) ,  木村滋 (JASRI) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.9a-W541-9  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】AlGaN/GaN系電子素子のドレイン端ゲート直下の局所領域において、圧電効果が誘起する格子欠陥形成が問題視されている。圧電効果による欠陥形成の機構の理解とその制御のためには、素子動作条件下における局所圧電ダイナミクスの計測が不可欠...【本文一部表示】

シソーラス用語： *HEMT ,  *格子歪 ,  結晶格子 ,  化合物半導体 ,  電圧 ,  ゲート【半導体】 ,  窒化ガリウム ,  窒化アルミニウム ,  格子定数 ,  X線回折 ,  光子ビーム ,  X線ナノビーム ,  *圧電効果 ,  印加電圧 ,  格子変形 ,  放射光X線回折 ,  窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  ビーム
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  ゲート電圧 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウムHEMT

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 放射光 ,  ナノビーム ,  X線回折 ,  窒化物半導体 ,  HEMT ,  圧電応答 ,  格子変形 ,  ダイナミクス ,  観測