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J-GLOBAL ID：202002244636629253   整理番号：20A2238921

C₅N₅H₅イオン注入によるNVセンターの形成

Creation of NV Center by C₅N₅H₅ Ion Implantation

著者 (12件)： 木村晃介 (群馬大) ,  木村晃介 (量研) ,  樋口泰成 (群馬大) ,  樋口泰成 (量研) ,  小野田忍 (量研) ,  加田渉 (群馬大) ,  薗田隆弘 (早稲田大) ,  川原田洋 (早稲田大) ,  渡邊幸志 (産業技術総合研) ,  磯谷順一 (筑波大) ,  花泉修 (群馬大) ,  大島武 (量研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14p-D221-4  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】 ダイヤモンド中の窒素・空孔(NV)センターは、室温で優れた磁気光学特性を持つ量子ビットとして知られている。NVセンター同士を多量子ビット化する方法は2つに大別される。1つは、ダイヤモンド上に電子線描画法で穴を開けたフォトレジス...【本文一部表示】

シソーラス用語： 焼なまし ,  薄膜 ,  ダイヤモンド ,  酸素 ,  窒素 ,  *イオン注入 ,  スペクトル ,  有機化合物 ,  化学蒸着 ,  蛍光顕微鏡 ,  共振周波数 ,  電子ビームリソグラフィー
準シソーラス用語： ODMR ,  量子ビット ,  ダイヤモンド膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (2件)： イオン注入 ,  NVセンター