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J-GLOBAL ID：202002258490176433   整理番号：20A2237570

Si-rich SiGe/Si超格子における高熱電出力因子の要因

The origin of high thermoelectric power factor in Si-rich SiGe/Si superlattices

著者 (5件)： 谷口達彦 (大阪大 大学院) ,  石部貴史 (大阪大 大学院) ,  ALAM Md. Mahfuz (東京都市大 総研) ,  澤野憲太郎 (東京都市大 総研) ,  中村芳明 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13a-D511-5  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景・目的】ユビキタス元素材料のSiは、室温で高熱電出力因子(~45μWcm-1K-2)を有するため有用な熱電材料として注目されているが、高い熱伝導率(~150Wm-1K-1)のため熱電性能は低い。これまで我々は、界面フォノン散乱による熱...【本文一部表示】

シソーラス用語： *超格子 ,  格子定数 ,  散乱 ,  焼なまし ,  熱伝導率 ,  薄膜 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  ドーピング ,  電気特性 ,  縮退 ,  熱電材料 ,  Seebeck係数 ,  圧縮歪
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  RICH ,  SiGe ,  超格子 ,  高熱 ,  出力因子 ,  要因