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J-GLOBAL ID：202202252796994115   整理番号：22A1707173

縦型半導体スピン素子を目指したCo₂FeSi上の高品質Ge成長と室温磁気抵抗比の増大

Growth of high quality Ge layers on Co₂FeSi and enhancement in room-temperature magnetoresistance ratios for Ge-based vertical spin devices

著者 (8件)： 山田敦也 (大阪大 基礎工) ,  山田道洋 (JST-さきがけ) ,  山田道洋 (阪大 基礎工 CSRN) ,  山田晋也 (阪大 基礎工 CSRN) ,  山田晋也 (大阪大 基礎工) ,  澤野憲太郎 (都市大 総研) ,  浜屋宏平 (阪大 基礎工 CSRN) ,  浜屋宏平 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 69th  ページ： ROMBUNNO.25p-D114-1  発行年： 2022年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： IoT技術やAI技術の殆どが半導体技術によって支えられているが,その電力消費量は年々増すばかりであり,低消費電力化技術の開発は喫緊の課題と言える.我々は,次世代の半導体チャネル材料として期待されるゲルマニウム(Ge)とスピントロニクス技術を...【本文一部表示】

シソーラス用語： 界面 ,  強磁性 ,  *磁気抵抗 ,  トランジスタ ,  薄膜 ,  *半導体 ,  *ゲルマニウム ,  電力消費 ,  素子構造 ,  不揮発性メモリ ,  MBE成長 ,  RHEED ,  バッファ層 ,  スピントロニクス ,  完全スピン偏極強磁性体
準シソーラス用語： ハーフメタル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電子物性一般  (BM01000S) ,  原子と光子の相互作用  (BH03060F) ,  金属の比熱・熱伝導  (BL05022V) ,  ニューロコンピュータ  (JC06010Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 縦型 ,  スピン ,  高品質 ,  Ge ,  成長 ,  室温 ,  磁気抵抗