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J-GLOBAL ID：200902147060690955   整理番号：00A0427671

集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象

Coulomb blockade phenomena in Si MOSFETs with nano-scale channels fabricated by focused-ion beam implantation.

著者 (4件)： 安田幸夫 (名古屋大 大学院) ,  泉川健太 (名古屋大 大学院) ,  酒井朗 (名古屋大 大学院) ,  財満鎮明 (名古屋大 先端技術共同研セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 99  号： 615(ED99 290-305)  ページ： 7-11  発行年： 2000年02月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 集束イオンビーム技術を用いてSi MOSFETを作製し,デバ...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 集束イオンビーム ,  ナノチャネル ,  MOSFET ,  作製 ,  クーロンブロッケード ,  現象