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J-GLOBAL ID：200902190190925914   整理番号：01A0777333

パルスレーザー蒸着法による高誘電率薄膜の作製と電気的特性

Structural and Electrical Characteristics of HfO₂ Films Fabricated by Pulsed Laser Deposition.

著者 (7件)： 池田浩也 (名古屋大) ,  後藤覚 (名古屋大) ,  本多一隆 (名古屋大) ,  坂下満男 (名古屋大) ,  酒井朗 (名古屋大) ,  財満鎮明 (名古屋大) ,  安田幸夫 (名古屋大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 101  号： 108(SDM2001 53-58)  ページ： 25-29  発行年： 2001年06月08日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： PLD法によりSi基板上にHfO₂膜を...

シソーラス用語： レーザアブレーション ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (10件)：

• IKEDA, H. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, 1069
• YASUDA, Y. Appl. Surf. Sci. 1997, 113/114, 579
• 財満鎭明. 表面科学. 1999, 20, 25
• IKEGAMI, H. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, 1593
• OHMORI, K. Appl. Surf. Sci. 2000, 162-163, 395

タイトルに関連する用語 (4件)： パルスレーザー蒸着 ,  高誘電率薄膜 ,  作製 ,  電気的特性