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J-GLOBAL ID：200902217778335469   整理番号：07A1007587

段階状組成傾斜法を用いた伸張歪Ge/歪緩和Ge1-xSnx層/仮想Ge基板構造の形成

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著者 (6件)：
志村洋介

志村洋介 について

(名古屋大 大学院)

名古屋大 大学院 について

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竹内正太郎

竹内正太郎 について

(名古屋大 大学院)

名古屋大 大学院 について

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酒井朗

酒井朗 について

(大阪大 大学院)

大阪大 大学院 について

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中塚理

中塚理 について

(名古屋大 大学院)

名古屋大 大学院 について

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小川正毅

小川正毅 について

(名大 エコトピア研)

名大 エコトピア研 について

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財満鎭明

財満鎭明 について

(名古屋大 大学院)

名古屋大 大学院 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 68th  号： 1  ページ： 405  発行年： 2007年09月04日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ゲルマニウム

ゲルマニウム について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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組成傾斜

組成傾斜 について

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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (8件)：
タイトルに関連する用語
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組成傾斜

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伸張

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歪

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Ge

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歪緩和

歪緩和 について

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仮想

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Ge基板

Ge基板 について


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