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J-GLOBAL ID：200902244664163002   整理番号：09A0420904

Si(001)基板上に選択エピタキシャル成長したGe薄膜における格子欠陥の構造特性

著者 (7件)： 海老原洪平 (大阪大 大学院) ,  山下鎮 (大阪大 大学院) ,  吉川純 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院) ,  WANG Gang (IMEC) ,  CAYMAX Matty (IMEC)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 1  ページ： 432  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *格子欠陥 ,  *化学蒸着 ,  半導体薄膜 ,  熱処理 ,  電子顕微鏡観察 ,  選択成長
準シソーラス用語： 珪素基板

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  エピタキシャル成長 ,  Ge ,  薄膜 ,  格子欠陥 ,  構造特性