文献

J-GLOBAL ID：200902253484790776   整理番号：04A0570470

ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析

Analysis of Formation Mechanism of the Energy Bandgap in the Radical Nitridation Process

著者 (6件)： 近藤博基 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  河合圭吾 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  宮崎香代子 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  酒井朗 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  財満鎮明 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  安田幸夫 (名古屋大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 104  号： 134(SDM2004 35-46)  ページ： 27-32  発行年： 2004年06月21日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代ゲート絶縁膜として期待されるシリコン窒化膜について,ラ...

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0570470&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (5件)：

• International Technology Roadmap for Semiconductors
• MATSUSHITA, D. Jpn. J. Appl. Phys. 2001, 40, 2827
• MATSUSHITA, D. Thin Solid Films. 2001, 369, 293
• TAKAHASHI, R. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 1
• HAMERS, R. J. Phys. Rev. Lett. 1987, 59, 2071

タイトルに関連する用語 (6件)： ラジカル窒化 ,  過程 ,  エネルギーバンドギャップ ,  STM ,  STS ,  解析