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J-GLOBAL ID：200902266605100084   整理番号：06A0916082

仮想Ge基板上におけるGe_1-xSn_xバッファ層の歪および転位構造制御

Control of strain and dislocation structures in Ge_1-xSn_x buffer layers on virtual Ge substrates

著者 (5件)： 竹内正太郎 (名古屋大) ,  酒井朗 (名古屋大) ,  中塚理 (名古屋大) ,  小川正毅 (名古屋大) ,  財満鎭明 (名古屋大)
資料名： 電気学会電子材料研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EFM-06  号： 15-24  ページ： 19-24  発行年： 2006年10月03日 
JST資料番号： Z0970A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si系MOSFETの高速化のために,歪の導入が検討されている...

シソーラス用語： ゲルマニウム ,...
準シソーラス用語： Ge ,...

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分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属の格子欠陥  (BK12030F) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (7件)：

• M. V. Fischetti and S. E. Laux:“Band structure, deformation potentials, and carrier mobility in strained Si, Ge, and SiGe alloys”, J. Appl. Phys., Vol.80, pp: 2234-2252(1996-8)
• T. Irisawa, S. Tokumitsu, T. Hattori, K, Nakagawa, S. Koh, and Y. Shiraki:“Ultrahigh room-temperature hole Hall and effective mobility in SiGe0.3Ge3.7/Ge/Sio.3Geo.7 heterostructure”, Appl. Phys. Lett., Vol.81, pp. 847-849(2002-7)
• A. Sakai, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima, and Y. Yasuda:“Pure-edge dislocation network for strain-relaxed SiGe/Si (001) systems”, Appl. Phys. Lett. Vol.86, pp. 221916-1-221916-3(2005-5)
• G. Yu. Yushkov, A. Anders, M. E. Oka, and I.CI Brown,“Ion velocities in vacuum arc plasmas”, J. Appl. Phys. Vol.88, pp. 5618-5622(2000-11)
• B. D. Cullity: Elements of X-ray Diffraction, second de., pp. 107,(Chapter4), Addison-Wesley Publishing Company, Inc., Reading, Massachusetts, U. S. A.(1978)

タイトルに関連する用語 (6件)： 仮想 ,  Ge基板 ,  バッファ層 ,  歪 ,  転位 ,  構造制御