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J-GLOBAL ID：200902271697186633   整理番号：09A0458572

金属/絶縁体/AlGaNと金属/絶縁体/AlGaN/GaN構造の静電容量-電圧-温度挙動のシミュレーション

Simulations of Capacitance-Voltage-Temperature Behavior of Metal/Insulator/AlGaN and Metal/Insulator/AlGaN/GaN Structures

著者 (4件)： MICZEK Marcin (Silesian Univ. Technol., Gliwice, POL) ,  ADAMOWICZ Boguslawa (Silesian Univ. Technol., Gliwice, POL) ,  MIZUE Chihoko (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 4,Issue 2  ページ： 04C092.1-04C092.6  発行年： 2009年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN層のある金属/絶縁体/半導体(MIS)と,AlGaN/GaNヘテロ接合のある金属/絶縁体/半導体ヘテロ構造(MISH)コンデンサの静電容量-電圧(C-V)特性への絶縁体/AlGaNとAlGaN/GaN界面の電子状態の効果を深い界面レベルからの非常に遅い電子放出を考慮して理論的に研究した。MISの絶縁体/AlGaN界面とMISHのAlGaN/GaN界面の状態はC-V曲線を通常通り伸ばす。一方,MISHの絶縁体/AlGaN界面状態は,室温と300°Cで(固定電荷様挙動)で特性を移すだけである。これらの効果は,研究した界面のFermiレベルの異なる位置で説明された。理論的C-Vカーブを室温とより高い温度で著者および他者が測定し文献で利用できる実験特性と比較した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  窒化アルミニウム ,  ヘテロ接合 ,  *静電容量 ,  *電圧 ,  電子状態 ,  Fermi準位 ,  コンデンサ

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

引用文献 (40件)：

• C. Liu, E. F. Chor, and L. S. Tan: Appl. Phys. Lett.88(2006)173504.
• N. Maeda, C. Wang, T. Enoki, T. Makimoto, and T. Tawara: Appl. Phys. Lett.87(2005)073504.
• J. Kotani, T. Hashizume, and H. Hasegawa: J. Vac. Sci. Technol. B 22(2004)2179.
• J. Kotani, M. Tajima, S. Kasai, and T. Hashizume: Appl. Phys. Lett.91(2007)093501.
• T. Hashizume, S. Ootomo, and H. Hasegawa: Appl. Phys. Lett.83(2003)2952.

タイトルに関連する用語 (6件)： 絶縁体 ,  AlGaN ,  GaN ,  静電容量 ,  挙動 ,  シミュレーション