文献

J-GLOBAL ID：200902299930375346   整理番号：08A0994778

Ge_1-xSn_xバッファ層上への伸張歪Ge層形成と歪・転位構造制御

Formation of Tensile-Strained Ge Layers on Ge_1-xSn_x Buffer Layers and Control of Strain and Dislocation Structures

著者 (4件)： 中塚理 (名古屋大) ,  志村洋介 (名古屋大) ,  財満鎭明 (名古屋大) ,  酒井朗 (大阪大)
資料名： 電気学会電子材料研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EFM-08  号： 24-34  ページ： 25-29  発行年： 2008年09月27日 
JST資料番号： Z0970A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代のSi系金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の性能向上に向けて,高移動度Geは従来のSiチャネルに代わる魅力的な候補材料である。現在,MOSFETのチャネルに用いられている高移動度歪Siを超える電子・正孔移動度を達成するためには,Geにおいても歪印加による移動度増大を実現する技術が必須と考えられる。伸長歪Geを実現する手法はいくつか提案されているが,著者らはその手法の一つとして,組成傾斜法によって形成したGe_1-xSn_xバッファ層について,歪緩和,転位構造およびSn析出機構を観察・評価した。そして,より低温のPDA処理条件を用いることによって,Snの析出を抑制しながら,転位の伝播を促進できることを見出した。その結果,Sn析出の臨界ミスフィット量を5.8×10^-3まで向上し,組成傾斜法における各層のSn組成を増大できた。PDA処理条件を適切に選択すれば,転位の伝播とSn析出の制御が可能となり,より大きな伸長歪を有するGeを実現するための高Sn組成歪緩和Ge_1-xSn_xバッファ層の形成が期待できる。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ゲルマニウム ,  *キャリア移動度 ,  ケイ素 ,  緩和現象 ,  *格子歪 ,  スズ ,  チャネル ,  傾斜機能材料 ,  ミスフィット ,  *不整合転位 ,  バッファ層 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： 歪緩和 ,  歪シリコン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (11件)：

• M. Myronov, Y. Shiraki, T. Mouri, and K. M. Itoh:“Enhancement of room-temperature hole conductivity in narrow and strained Ge quantum well by double-side modulation doping”, Appl. Phys. Lett.90, 192108(2007)
• V. M. Fischetti and E. S. Laux:“Band structure, deformation potentials, and carrier mobility in strained Si, Ge, and SiGe alloys”, J. Appl. Phys.80 2234(1996)
• Y. Ishikawa, K. Wada, D. D. Cannon, J. Liu, H.-C. Luan, and L. C. Kimerling:“Strain-induced band gap shrinkage in Ge grown on Si substrate”, Appl. Phys. Lett.82, 2044(2003)
• J. Liu, X. Sun, D. Pan, X. Wang, L. C. Kimerling, T. L. Koch, and J. Michel:“Tensile-strained, n-type Ge as a gain medium for monolithic laser integration on Si”, Opt. Express 15, 11272(2007)
• S. Takeuchi, A. Sakai, K. Yamamoto, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima:“Growth and structure evaluation of strain-relaxed Gei, Snx buffer layers grown on various types of substrates”, Semicond. Sci. Technol.22, 5231(2007)

タイトルに関連する用語 (7件)： バッファ層 ,  伸張 ,  歪 ,  Ge ,  層形成 ,  転位 ,  構造制御