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J-GLOBAL ID：200902250792593923   整理番号：07A0106209

いろいろな型の基板上に成長させた歪緩和したGe_1-xSi_xバッファ層の成長と構造の評価

Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge_1-xSn_x buffer layers grown on various types of substrates

著者 (6件)： TAKEUCHI Shotaro (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAKAI Akira (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YAMAMOTO Koji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NAKATSUKA Osamu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OGAWA Masaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA Shigeaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 22  号： 1  ページ： S231-S235  発行年： 2007年01月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MBE成長Ge_1-xSi<sub>x<...

シソーラス用語： 構造緩和 ,...
準シソーラス用語： 歪緩和

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 型 ,  成長 ,  歪緩和 ,  バッファ層 ,  評価