特許
J-GLOBAL ID：201103045405981545
ナノワイヤ太陽電池及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-295806
公開番号（公開出願番号）：特開2011-138804
出願日： 2009年12月25日
公開日（公表日）： 2011年07月14日
要約：
【課題】実用的な電力を得ることができると共に、励起子を有効に回収することができる太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】ナノワイヤ太陽電池1は、半導体基板2と、pn接合を構成する複数のナノワイヤ状の半導体4,5と、半導体4,5の間隙に充填された透明絶縁性材料6と、半導体4,5の端部を被覆する電極7と、半導体5と透明絶縁性材料6及び電極7との間に設けられたパッシベーション層10とを備える。ナノワイヤ太陽電池1は、半導体基板2の表面の一部を非晶質膜3で被覆し、非晶質膜3から露出している半導体基板2の表面に複数のナノワイヤ状の半導体4,5を形成し、半導体5の表面にパッシベーション層10を形成し、半導体4,5の間隙に透明絶縁性材料6を充填し、半導体4,5の端部を被覆する電極7を形成することにより製造することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板上に成長されpn接合を構成する複数のナノワイヤ状の半導体とを備えるナノワイヤ太陽電池であって、
該複数のナノワイヤ状の半導体の間隙に充填された透明絶縁性材料と、
該透明絶縁性材料に連接して該複数のナノワイヤ状の半導体の該半導体基板と反対側の端部を被覆すると共に該複数のナノワイヤ状の半導体に接続された電極と、
該複数のナノワイヤ状の半導体の表面に沿って該複数のナノワイヤ状の半導体と該透明絶縁性材料及び該電極との間に設けられ電子の再結合を防止するパッシベーション層とを備えることを特徴とするナノワイヤ太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F051AA08
, 5F051DA03
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051FA14
, 5F051FA15
, 5F051GA04
, 5F151AA08
, 5F151DA03
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151FA14
, 5F151FA15
, 5F151GA04
