特許

J-GLOBAL ID：200903088125309259

高ミスカット角度の基体上に成長された多接合光起電セル

発明者： リチャード・アール・キング ,  ジェイムズ・エイチ・エルマー ,  ピーター・シー・コルター ,  クリス・フェッツァー
出願人/特許権者： ザ・ボーイング・カンパニー
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-119344
公開番号（公開出願番号）：特開2004-320033
出願日： 2004年04月14日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】本発明は光起電セルの出力および効率を改善することを目的としている。【解決手段】本発明は光起電セル不規則にされた第III 族サブ格子ベースを含むGaInPサブセル20と、GaInPサブセル20の下に配置されたGa(In)Asのサブセル40と、Ga(In)Asのサブセルの下に配置された半導体成長基体60とを備え、半導体成長基体60は最も近い(111)結晶平面に向かって約8度乃至40度の範囲の角度で(100)平面から外れた方位の表面を有している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

不規則にされた第III 族サブ格子ベースを含むGaInPサブセル(20)と、 前記GaInPサブセル(20)の下に配置されたGa(In)Asのサブセル(40)と、 前記Ga(In)Asのサブセルの下に配置された半導体成長基体(60)とを具備し、 前記半導体成長基体(60)は最も近い(111)結晶平面に向かって約8度乃至40度の範囲の角度で(100)平面から外れた方位の表面を有している光起電セル。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (4件)：

5F051AA08 ,  5F051BA02 ,  5F051CB11 ,  5F051DA15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 太陽電池およびトンネルダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-273324   出願人：株式会社ジャパンエナジー
• モノリシックバイパスダイオードおよび太陽電池ストリング装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-510918   出願人：ザ・ボーイング・カンパニー
• 高効率積層型太陽電池及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-326034   出願人：住友電気工業株式会社
• 導波路型半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-146997   出願人：日本電気株式会社