半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部毅巖
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-235314
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079644
特許番号：特許第4179825号
出願日： 2002年08月13日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 p型半導体層を有する半導体素子において、 ZnまたはBeが導入されホールキャリア濃度が前記p型半導体層全体のホールキャリア濃度よりも低くなる半導体層である低キャリア濃度層と、Cが導入された半導体層であるカーボンドープ層と、が積層された構造を有する前記p型半導体層を有し、前記p型半導体層は、InP基板の上層に形成され、前記低キャリア濃度層と前記カーボンドープ層にそれぞれ、InGaAsPとInGaAlAs、InGaAsPとInAlAs、またはInPとInAlAsが用いられていることを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：