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J-GLOBAL ID：201202201080752582   整理番号：12A1057325

貼り合わせ直接接合SrTiO₃(001)基板の抵抗スイッチング特性評価

Resistive Switching Properties of Directly Bonded SrTiO₃ Substrate

著者 (7件)： 淺田遼太 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  SON Pham Phu Than (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  VASANT Kokate Nishad (大阪大 基礎工) ,  吉川純 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  竹内正太郎 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  中村芳明 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  酒井朗 (大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 92(SDM2012 43-62)  ページ： 7-12  発行年： 2012年06月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 新規不揮発性メモリの一つとして,金属/絶縁体/金属構造の抵抗変化型メモリが注目されている。我々はSrTiO₃(001)基板を貼り合わせ直接接合することにより界面にらせん転位網が形成されることを確認し,それを伝導性パスとするAu/SrTiO₃/Au構造における抵抗スイッチング挙動を確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： 貼合せ ,  スイッチング ,  電気抵抗 ,  RAM【メモリ】 ,  不揮発性メモリ ,  *チタン酸ストロンチウム ,  *螺旋転位 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  抵抗変化型メモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (11件)：

• HICKMOTT, T. W. J. Appl. Phys. 1962, 33, 2669
• SZOT, K. Nat. Mater. 2006, 5, 312
• SAWA, A. Mater. Today. 2008, 11, 6, 28
• CHOI, B. J. J. Appl. Phys. 2005, 98, 033715
• KWON, D.-H. Nat. Nanotech. 2010, 5, 148

タイトルに関連する用語 (4件)： 貼り合わせ ,  直接接合 ,  抵抗スイッチング ,  特性評価