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J-GLOBAL ID：201302203409009843   整理番号：13A1077176

X線透過法によるGe融液中へのSiの溶解プロセスとSiGeの成長機構

The dissolution process of Si into Ge melt and SiGe growth mechanism by X-ray penetration method

著者 (14件)： OMPRAKASH Muthusamy (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  ARIVANANDHAN Mukannan (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  ARUNKUMAR Raman (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  MORII Hisashi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  AOKI Toru (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KOYAMA Tadanobu (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  MOMOSE Yoshimi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  IKEDA Hiroya (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TATSUOKA Hirokazu (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  OKANO Yasunori (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OZAWA Tetsuo (Shizuoka Inst. Sci. and Technol., Shizuoka, JPN) ,  INATOMI Yuko (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  MOORTHYBABU Sridharan (Anna Univ., Channai, IND) ,  HAYAKAWA Yasuhiro (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113  号： 40(CPM2013 1-21)  ページ： 27-31  発行年： 2013年05月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge融液中へのSiの溶解とSiGeの結晶成長をX線透過法によりその場観察した。実験には長方形のSi(種結晶)/Ge/Si(フィード)サンドイッチ型試料を用いた。試料に対する透過X線強度を,長方形のCdTe検出器を用いて,時間と温度の関数として記録した。実験の結果,Si種結晶の溶解はSiフィード結晶と比べて大きいことを示した。溶解長測定結果は数値解析結果と良く一致した。実験と数値解析による溶解長結果から,SiのGe融液中への溶解は重力誘起融液対流に強く影響された。さらに,成長界面付近での透過X線強度の劇的な変化から,SiGeの結晶成長を明確に観測した。透過X線強度プロファイルとEPMAによって測定した成分プロファイルに基づいて,観測されたSiGe成長過程に関する成長機構を論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 電子プローブX線分析 ,  X線検査 ,  電磁波透過 ,  ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  液体 ,  溶解 ,  種結晶 ,  *半導体材料 ,  *結晶成長 ,  対流
準シソーラス用語： *SiGe ,  X線透過 ,  融液

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： X線透過 ,  Ge ,  融液 ,  Si ,  溶解 ,  プロセス ,  SiGe ,  成長