文献

J-GLOBAL ID：201302221689820337   整理番号：13A1917442

pinダイヤモンド半導体への電流注入による単一NV中心の電荷制御

著者 (12件)： 土井悠生 (大阪大 大学院) ,  牧野俊晴 (産業技術総合研) ,  加藤宙光 (産業技術総合研) ,  小倉政彦 (産業技術総合研) ,  竹内大輔 (産業技術総合研) ,  大串秀世 (産業技術総合研) ,  山崎聡 (産業技術総合研) ,  WRACHTRUP J. (Stuttgart大) ,  田嶌俊之 (大阪大 大学院) ,  三輪真嗣 (大阪大 大学院) ,  鈴木義茂 (大阪大 大学院) ,  水落憲和 (大阪大 大学院)
資料名： ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集
巻： 27th  ページ： 6-7  発行年： 2013年11月19日 
JST資料番号： L1241A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *窒素 ,  *空格子点 ,  *半導体 ,  注入 ,  PINダイオード
準シソーラス用語： *窒素空孔中心 ,  電流注入

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイヤモンド半導体 ,  電流注入 ,  NV中心 ,  電荷