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J-GLOBAL ID：201402223927383960   整理番号：14A1100978

Siウェーハの曲げ強度に対する表層窒素濃度の影響

著者 (8件)： 須藤治生 (グローバルウェーハズ・ジャパン) ,  荒木浩司 (グローバルウェーハズ・ジャパン) ,  日高洋美 (グローバルウェーハズ・ジャパン) ,  荒木延恵 (グローバルウェーハズ・ジャパン) ,  竹内正太郎 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  中村芳明 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  酒井朗 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  泉妻宏治 (グローバルウェーハズ・ジャパン)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.20A-A20-15  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *曲げ強さ ,  *表層 ,  *濃度 ,  急速加熱 ,  窒化 ,  歪測定 ,  二次イオン質量分析 ,  剪断応力 ,  ケイ素
準シソーラス用語： *Siウエハ ,  急速熱窒化 ,  *窒素濃度

分類 (2件)： 金属の機械的性質  (BL01022T) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： Siウェーハ ,  曲げ強度 ,  表層 ,  窒素濃度