Ge-nMOSFET向けn<sup>+</sup>-Ge/n<sup>+</sup>-SiGe積層ストレッサーによるGeチャネルへのひずみ導入および寄生抵抗の低減

守山佳彦; 守山佳彦; 上牟田雄一; 鎌田善己; 池田圭司; 竹内正太郎; 中村芳明; 酒井朗; 手塚勉

文献

J-GLOBAL ID：201402237275643183 整理番号：14A0371881

Ge-nMOSFET向けn⁺-Ge/n⁺-SiGe積層ストレッサーによるGeチャネルへのひずみ導入および寄生抵抗の低減

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資料名：
巻： 61st ページ： ROMBUNNO.19P-PG3-15 発行年： 2014年03月03日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2436-7613 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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固体デバイス一般 , 半導体薄膜 , 半導体結晶の電気伝導

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Ge-nMOSFET向けn+-Ge/n+-SiGe積層ストレッサーによるGeチャネルへのひずみ導入および寄生抵抗の低減

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