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J-GLOBAL ID：201502208657342246   整理番号：15A1044523

Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性

著者 (7件)： 渡辺健太郎 (大阪大 大学院) ,  前田佳輝 (大阪大 大学院) ,  中本悠太 (大阪大 大学院) ,  松井秀紀 (大阪大 大学院) ,  竹内正太郎 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.13P-2H-6  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： RAM【メモリ】 ,  *ナノ構造 ,  *酸化鉄 ,  エピタクシー ,  スイッチング ,  原子価
準シソーラス用語： ReRAM ,  エピタキシャル成長 ,  *ナノドット ,  価数 ,  抵抗スイッチング ,  *抵抗変化型メモリ ,  *鉄酸化物

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  高密度 ,  エピタキシャル ,  鉄酸化物 ,  ナノドット ,  スイッチング特性