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J-GLOBAL ID：201902231686934363   整理番号：19A2620247

ハイドライド気相成長GaNバルク単結晶の単独貫通転位における漏れ電流評価

著者 (7件)： 濱地威明 (大阪大 大学院) ,  藤元聖人 (大阪大 大学院) ,  藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  林侑介 (大阪大 大学院) ,  今西正幸 (大阪大 大学院) ,  森勇介 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.21a-E310-5  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】GaN系パワーデバイス用基板結晶の更なる高品質化のためには,貫通転位における電流漏れ現象の解明が最重要課題となっている.我々はこれまで,Naフラックス成長法により育成したGaN結晶において,貫通転位における漏れ電流特性が,転位周辺の...【本文一部表示】

シソーラス用語： *気相成長 ,  エピタクシー ,  *窒化ガリウム ,  結晶 ,  *貫通転位 ,  *漏れ電流 ,  走査電子顕微鏡 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *ハイドライド気相成長 ,  ヒドリド気相エピタキシー ,  GaN ,  バルク結晶 ,  SEM【顕微鏡】

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： ハイドライド ,  気相成長 ,  GaN ,  バルク ,  単結晶 ,  貫通転位 ,  漏れ電流 ,  評価