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J-GLOBAL ID:201902250462353241   整理番号:19A1376531

NaフラックスGaNバルク単結晶の単独転位における漏れ電流特性とバーガースベクトルの解析

著者 (5件):
資料名:
巻: 66th  ページ: ROMBUNNO.12a-W541-10  発行年: 2019年02月25日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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【背景】パワーデバイス用基板応用に向けたGaN結晶の更なる高品質化のためには、転位における漏れ電流発生機構の解明が最重要課題である。これまでに我々は、Naフラックス成長させたGaN結晶の大部分を占めるc面成長領域(cGS)上の転位では漏れ電...【本文一部表示】
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分類 (2件):
分類
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半導体の結晶成長  ,  半導体の格子欠陥 

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