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J-GLOBAL ID：201902254835008084   整理番号：19A1376529

OVPE法によるホモエピタキシャルGaN厚膜の欠陥構造評価

著者 (8件)： 真鍋海希 (大阪大 大学院) ,  藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  滝野淳一 (パナソニック) ,  滝野淳一 (大阪大 大学院) ,  隅智亮 (パナソニック) ,  今西正幸 (大阪大 大学院) ,  森勇介 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.12a-W541-8  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】GaNはパワーデバイスへの応用や発光デバイスとしてさらなる普及が期待されており、より大口径・高品質な基板作製技術が求められている。ハイドライド気相成長(HVPE)法は高速成長可能であるという利点から、既にGaN基板作製技術として実用...【本文一部表示】

シソーラス用語： *気相成長 ,  *ホモエピタクシー ,  *窒化ガリウム ,  *厚膜 ,  *構造 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  転位【結晶】 ,  積層欠陥
準シソーラス用語： *VPE成長 ,  GaN ,  *欠陥構造 ,  SEM【顕微鏡】 ,  TEM【顕微鏡】 ,  格子転位

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホモ ,  エピタキシャル ,  GaN ,  厚膜 ,  欠陥構造 ,  評価