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J-GLOBAL ID：202002252977218454   整理番号：20A2237733

Na-flux-GaN上に育成したHVPE-GaNバルク単結晶における貫通転位の形態と漏れ電流特性の評価

Investigation of morphology and current leakage properties for individual threading dislocations in a HVPE-GaN bulk single crystal grown on a Na-flux-GaN crystal

著者 (6件)： 濱地威明 (大阪大 大学院) ,  藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  林侑介 (大阪大 大学院) ,  今西正幸 (大阪大 大学院) ,  森勇介 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13p-A302-4  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】高い品質と信頼性を有するGaN基板結晶及びデバイスの実現には,貫通転位密度の低減だけでなく,転位で生じる電流漏れ現象機構の解明が強く求められる.先行研究では,電流漏れ現象は転位種と関連することが示唆されているが,決定的な要因は未だ明...【本文一部表示】

シソーラス用語： 気相成長 ,  結晶構造 ,  *単結晶 ,  電圧 ,  *電流 ,  白金 ,  電流電圧特性 ,  *漏れ電流 ,  エッチピット ,  水素化物 ,  Burgersベクトル ,  *窒化ガリウム ,  三次元 ,  原子間力顕微鏡 ,  *貫通転位

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (9件)： Na ,  GaN ,  HVPE ,  バルク ,  単結晶 ,  貫通転位 ,  形態 ,  漏れ電流 ,  評価