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J-GLOBAL ID：202002274159609431   整理番号：20A2237173

ナノビームX線回折法による高Ge組成SiGe/組成傾斜SiGe/Si積層構造の深さ分解結晶性トモグラフィック評価

Depth-resolved tomographic analysis of high-Ge-content SiGe/compositionally graded SiGe/Si stacked structure using nanobeam X-ray diffraction

著者 (7件)： 志田和己 (大阪大 大学院) ,  藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  林侑介 (大阪大 大学院) ,  隅谷和嗣 (JASRI) ,  今井康彦 (JASRI) ,  木村滋 (JASRI) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.12p-D519-3  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】高Ge組成SiGe/組成傾斜SiGe/Si積層構造は、次世代pMOSチャネル材料である歪Geの成膜用ストレッサとして期待されている。高品質な歪Ge膜の作製には、その基板となる高Ge組成SiGe層の欠陥低減が不可欠であり、そのためには...【本文一部表示】

シソーラス用語： *X線回折 ,  *回折 ,  幾何学 ,  結晶構造 ,  対称性 ,  *ゲルマニウム ,  白金 ,  光学系 ,  *X線回折分析 ,  *結晶度 ,  三次元 ,  放射光施設
準シソーラス用語： シリコンウエハ ,  薄膜形成 ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (11件)： ナノビーム ,  X線回折法 ,  Ge ,  組成 ,  SiGe ,  組成傾斜 ,  Si ,  積層構造 ,  分解 ,  結晶性 ,  評価