文献

J-GLOBAL ID：202102214706665085   整理番号：21A1575414

ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析

Analysis of local strain fields around individual threading dislocations in HVPE-GaN bulk crystals by using nanobeam X-Ray diffraction

著者 (10件)： 濱地威明 (大阪大 大学院) ,  藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  林侑介 (大阪大 大学院) ,  宇佐美茂佳 (大阪大 大学院) ,  今西正幸 (大阪大 大学院) ,  森勇介 (大阪大 大学院) ,  隅谷和嗣 (JASRI) ,  今井康彦 (JASRI) ,  木村滋 (JASRI) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 68th  ページ： ROMBUNNO.19p-Z29-5  発行年： 2021年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】窒化ガリウム(GaN)は,その優れた物性から次世代パワーデバイス用基板として注目されている.しかし,現状のGaN基板中には多くの貫通転位が残存し,これらがデバイス中で逆方向漏れ電流を誘発することが知られている.転位の漏れ電流機構を解...【本文一部表示】

シソーラス用語： *X線回折 ,  エピタクシー ,  コントラスト ,  ゆらぎ ,  物理的性質 ,  X線回折分析 ,  非対称性 ,  漏れ電流 ,  エッチピット ,  Burgersベクトル ,  半値幅 ,  *窒化ガリウム ,  三次元 ,  *貫通転位
準シソーラス用語： 逆格子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (9件)： ナノビーム ,  X線回折 ,  HVPE ,  GaN ,  バルク結晶 ,  貫通転位 ,  周辺 ,  局所歪 ,  解析