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J-GLOBAL ID：202102214734293942   整理番号：21A0695872

OVPE法で成長したGaNバルク単結晶の微細構造解析

Nano-scale structure analysis of bulk GaN crystals grown by OVPE method

著者 (12件)： 栗谷淳 (大阪大 大学院) ,  藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  濱地威明 (大阪大 大学院) ,  林侑介 (大阪大 大学院) ,  滝野淳一 (パナソニック) ,  隅智亮 (パナソニック) ,  今西正幸 (大阪大 大学院) ,  森勇介 (大阪大 大学院) ,  隅谷和嗣 (JASRI) ,  今井康彦 (JASRI) ,  木村滋 (JASRI) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.8a-Z02-1  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】窒化ガリウム(GaN)はその優れた物性値により、電子デバイスに用いることで高速動作、高耐圧、集積化が実現できると考えられている。このような性能を効率的に引き出すにはGaN単結晶基板の利用が望ましいが従来の結晶成長法では大規模生産の観...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  陰極線ルミネセンス ,  エッチング ,  結晶成長 ,  コントラスト ,  シンクロトロン放射 ,  走査電子顕微鏡 ,  *単結晶 ,  ケイ素 ,  エッチピット ,  *窒化ガリウム ,  ファセット ,  透過型電子顕微鏡 ,  貫通転位
準シソーラス用語： 走査電子顕微鏡法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  GaN ,  バルク ,  単結晶 ,  微細構造 ,  解析