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J-GLOBAL ID：202102257247949183   整理番号：21A0695874

HVPE-GaNバルク結晶におけるa及びa+cタイプ貫通転位の3次元的伝播挙動の解析

Analysis for three-dimensional propagation behaviors of a and a + c types threading dislocations in HVPE-grown GaN bulk crystals

著者 (6件)： 濱地威明 (大阪大 大学院) ,  藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  林侑介 (大阪大 大学院) ,  今西正幸 (大阪大 大学院) ,  森勇介 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.8a-Z02-3  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】GaN系デバイスの信頼性向上には,GaN基板中の貫通転位密度を低減することが重要である.一般的にGaN基板中の転位は,大多数がa及びa+cタイプのバーガースベクトルbを有するため,転位密度の低減にはこれらの伝播挙動を理解し,制御する...【本文一部表示】

シソーラス用語： 気相成長 ,  対称性 ,  電子顕微鏡観察 ,  転位密度 ,  エッチピット ,  水素化物 ,  Burgersベクトル ,  弾性力学 ,  *窒化ガリウム ,  収束電子回折 ,  *三次元 ,  傾斜角 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *貫通転位 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： ヒロック , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (9件)： HVPE ,  GaN ,  バルク結晶 ,  タイプ ,  貫通転位 ,  3次元 ,  伝播 ,  挙動 ,  解析