文献
J-GLOBAL ID:202102259602465833   整理番号:21A0695880

N-PSS上スパッタ堆積アニールAlNテンプレートに成長させたAlN厚膜の微細構造解析

Microstructure analysis of thick AlN films grown with sputter-deposited annealed AlN templates on nano-patterned sapphire substrates
著者 (6件):
資料名:
巻: 81st  ページ: ROMBUNNO.8a-Z02-10  発行年: 2020年08月26日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
本文一部表示:
本文一部表示
文献の本文または文献内に掲載されている抄録の冒頭(最大100文字程度)を表示しています。
非表示の場合はJDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌登載から半年~1年程度経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
【背景】UV-C LEDは紫外線殺菌に期待されているが、高い貫通転位密度・低い光取り出し効率(LEE)のため発光効率の低下が問題となっている。先行研究[1]では、高LEEかつ低転位密度なAlN成長を目的として、ナノパターン加工サファイア基板...【本文一部表示】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
発光素子  ,  半導体薄膜 

前のページに戻る