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J-GLOBAL ID：202102266116183354   整理番号：21A0695873

HVPE-GaNバルク結晶における貫通転位の3次元的形態とバーガースベクトルの関係

Correlation between three-dimensional morphology and Burgers vector of threading dislocations in GaN bulk crystals grown by HVPE methods

著者 (7件)： 濱地威明 (大阪大 大学院) ,  藤平哲也 (大阪大 大学院) ,  林侑介 (大阪大 大学院) ,  今西正幸 (大阪大 大学院) ,  森勇介 (大阪大 大学院) ,  五十嵐信行 (名大 IMaSS) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.8a-Z02-2  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景】一般的に,GaN基板中の多くの貫通転位はエピタキシャル成長層に引き継がれ,その電気的及び光学的特性に影響することが知られている.近年では,GaN系パワーデバイスに与える転位の影響は,バーガースベクトルにより異なることも報告されている...【本文一部表示】

シソーラス用語： 気相成長 ,  光学的性質 ,  転位密度 ,  エッチピット ,  水素化物 ,  *Burgersベクトル ,  サファイア ,  *窒化ガリウム ,  収束電子回折 ,  *三次元 ,  *貫通転位 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： ヒロック ,  パワーデバイス ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： HVPE ,  GaN ,  バルク結晶 ,  貫通転位 ,  3次元 ,  形態 ,  バーガースベクトル