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J-GLOBAL ID：200902015580196631   Reference number：92A0363837

¹H Nuclear Magnetic Resonance Study of Hydrogenated Amorphous Silicon Deposited from a Xe-diluted Silane Plasma.

Xe希釈シランプラズマから堆積した非晶質水素化けい素の¹H核磁気共鳴研究

Author (7)： HAYASHI S (National Chemical Lab. Industry, Ibaraki) ,  HAYAMIZU K (National Chemical Lab. Industry, Ibaraki) ,  MASHIMA S (Electrotechnical Lab., Ibaraki) ,  SUZUKI A (Electrotechnical Lab., Ibaraki) ,  MCELHENY P J (Electrotechnical Lab., Ibaraki) ,  YAMASAKI S (Electrotechnical Lab., Ibaraki) ,  MATSUDA A (Electrotechnical Lab., Ibaraki)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 31  Issue： 4  Page： 989-994  Publication year： Apr. 1992 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： plasma CVD ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： Xe ,  希釈 ,  シラン ,  プラズマ ,  堆積 ,  非晶質水素化けい素 ,  核磁気共鳴 ,  研究