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J-GLOBAL ID：201602241545103539   Reference number：16A1108226

EUV High-NA scanner and mask optimization for sub 8nm resolution

EUV高NAスキャナと8nm以下の分解能でのマスクの最適化

Author (9)： VAN SCHOOT Jan (ASML, Veldhoven, NLD) ,  VAN INGEN SCHENAU Koen (ASML, Veldhoven, NLD) ,  BOTTIGLIERI Gerardo (ASML, Veldhoven, NLD) ,  TROOST Kars (ASML, Veldhoven, NLD) ,  ZIMMERMAN John (ASML, CT, USA) ,  MIGURA Sascha (Carl Zeiss SMT GmbH, Oberkochen, DEU) ,  KNEER Bernhard (Carl Zeiss SMT GmbH, Oberkochen, DEU) ,  NEUMANN Jens Timo (Carl Zeiss SMT GmbH, Oberkochen, DEU) ,  KAISER Winfried (Carl Zeiss SMT GmbH, Oberkochen, DEU)
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 9776  Page： 97761I.1-97761I.15  Publication year： 2016 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photomask ,  *photolithography ,  *vacuum ultraviolet radiation ,  *scanner ,  numerical aperture ,  resolving power ,  optimization ,  wafer ,  contrast ,  transmissivity ,  angle of incidence ,  reflectivity ,  circuit pattern generation ,  form factor
Semi thesaurus term： *EUV mask ,  *EUV lithography ,  high numerical aperture

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (6)： EUV ,  Na ,  スキャナ ,  分解能 ,  マスク ,  最適化