渡久地實

トグチミノル | Toguchi Minoru

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (4件)：電気電子材料工学 , 薄膜、表面界面物性 , 結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (7件)：薄膜 , 表面界面物性 , 応用物性・結晶工学 , 電子・電気材料工学 , Interface Formation and Properties , Applied Solid State Physics , Eleclrical and Eleclronics Materials

競争的資金等の研究課題 (6件)：

2000 - 2005 化合物半導体(特にCdTe)の表面・界面制御に関する研究
1金属、半導体の表面および界面制御に関する技術開発研究、2半導体および金属表面への保護膜、絶縁膜の形成技術の開発研究
気相合成ダイヤモンド薄膜に関する研究
水素化アモルファス炭素薄膜の物性に関する研究
Physical Properties of Diamond Film Prepared by Chemical Vapor Deposition (CVD)

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MISC (34件)：

Hydrogen Storage Phenomenon in Amorphous Phase of Hydrogenated Carbon Nitride (共著). Jpn. J. Appl. Phys. 2003. Vol.42, No.8, pp.5251-5254
Characterization of CdTe(111)A surface exposed to the plazma of various gases. Joint Conference Proceedings ESCAMPIG 16, ICRP 5, 14-18 July 2002 Grenoble, France. 2002. Vol. 1, pp.167-168
誘導結合型酸素プラズマ処理によるCdTe表面酸化層の形成と表面リーク電流低減効果. 電子情報通信学会論文誌. 2002. Vol.J85-C No.4, pp.285-292
VHFスパッタリング法により作製した水素化アモルファス炭素薄膜の基板バイアスの効果. 琉球大学工学部紀要. 2000. 59. 101
Infruence of Substrate Bias on Hydrogenated Amorphous Carbon Films Prepared by VHF Sputtering. Bulletin of the Faculty of Engineering Univ of the RyuRyus. 2000. 59. 101

特許 (1件)：

化合物半導体上への炭素系薄膜の形成方法

書籍 (1件)：

Incorporation of Filament Material in Diamond Films Prepared by Hot Filament CVD(共著)
"Advances in New Diamond Science and Technology" MYU, TOKYO, Ed. by S. Saito et al. 1994

Works (9件)：

水素吸蔵アモルファス窒化炭素に関する研究 (長岡技術科学大学)
2002 -
沖縄産学官共同研究推進事業「半導体放射線検出素子表面の保護膜形成技術の開発」
2002 -
沖縄産学官共同研究推進事業「半導体放射線検出素子表面の保護膜形成技術の研究開発」成果報告書
2002 -
CdTe半導体放射線画像検出器の実用化に関する研究
2001 -
平成11年度地域コンソーシァム研究開発事業ベンチャー企業支援型地域コンソーシァム研究開発(中核的産業創造型)「医療用の新規半導体放射線画像検出の実用化に関する研究開発成果報告書
2001 -

学位 (1件)：

工学博士 (大阪大学)

所属学会 (4件)：

日本物理学会 , IEEE , 電子情報通信学会 , 応用物理学会

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