海津利行

カイヅトシユキ | Kaizu Toshiyuki

所属機関・部署：
職名：助教
その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：

研究分野 (2件)：結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (5件)：光物性 , 表面界面物性 , ナノマテリアル , 電子・電気材料工学 , 結晶工学

競争的資金等の研究課題 (3件)：

2017 - 2020 窒素デルタドープによるGaAs基板上InAs量子ドット発光の1.5μm帯長波長化
2016 - 2019 未踏光周波数帯域を開拓する広帯域偏波無依存光アンプ基盤技術の構築
1998 - 2004 Uniform Formation of Self-organized InAs Quantum Dots by Molecular Beam Epitaxy

論文 (55件)：

S. Asahi, T. Kaizu, T. Kita. Adiabatic two-step photoexcitation effects in intermediate-band solar cells with quantum dot-in-well structure. Scientific Reports. 2019. 9. 7859-1-8
Kazuki Hirao, Shigeo Asahi, Toshiyuki Kaizu, Takashi Kita. Two-step photocurrent generation enhanced by the fundamental-state miniband formation in intermediate-band solar cells using a highly homogeneous InAs/GaAs quantum-dot superlattice. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2018. 11. 1. 012301-1-4
R. C. Plantenga, V. R. Kortan, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita, M. E. Flatté, P. M. Koenraad. Spatially Resolved Electronic Structure of an Isovalent Nitrogen Center in GaAs. Phys. Rev. B. 2017. 96. 155210. 1-8
T. Kada, S. Asahi, T. Kaizu, Y. Harada, R. Tamaki, Y. Okada, T. Kita. Efficient two-step photocarrier generation in bias-controlled InAs/GaAs quantum dot superlattice intermediate-band solar cells. SCIENTIFIC REPORTS. 2017. 7. 5865. 1-10
S. Watanabe, S. Asahi, T. Kada, K. Hirao, T. Kaizu, Y. Harada, T. Kita. Two-Step Photocurremt Generation Enhanced by Miniband Formation in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Intermediate-Band Solar Cells. Appl. Phys. Lett. 2017. 110. 193104. 1-5

MISC (38件)：

講演・口頭発表等 (80件)：

One-Dimensional Electronic States in Highly-Stacked InAs/GaAs Quantum Dot Superlattices
(Compound Semiconductor Week2019 2019)
“Effects of GaAs-Capping Temperature on The Emission Wavelength of InAs Quantum Dots Grown on Nitrogen-Doped GaAs(001)Surfaces
(20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2018)
多孔質炭素電極を用いた光化学電池の基礎特性
(平成30年度半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会 2018)
Carrier Collection Efficiency of Intraband-Excited Carriers in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cells
(The 7th edition of the World Conference on Photovoltaic Energy Conversion 2018)
Multiple Stacking of Capping Temperature-Controlled InAs/GaAs Quantum Dots with AlGaAs Barrier Layers for Broadband Emission
(Compound Semiconductor Week 2018 2018)

学歴 (5件)：

学位 (2件)：

経歴 (6件)：

全件表示

受賞 (1件)：

所属学会 (2件)：

The Japan Society of Applied Physics , 応用物理学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

海津 利行