研究者
J-GLOBAL ID：200901055450151723
更新日: 2024年01月17日
NURYADI RATNO
ヌルヤディ ラトノ | Nuryadi Ratno
所属機関・部署：
旧所属 静岡大学 創造科学技術研究部 ベーシック部門
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職名：
日本学術振興会特別研究員
ホームページURL (1件)：
http://nano.rie.shizuoka.ac.jp/laboratory/
研究分野 (2件)：
電気電子材料工学
, 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (2件)：
半導体工学
, Semiconductor Engineering
競争的資金等の研究課題 (6件)：
2001 - Si量子ドットをもつ単電子デバイス
2001 - Single Electron divice with Si guanfum dots
2000 - 量子構造をもつSiフィールドエミッタ
2000 - Si Field Emitter from Quantum Structure
1998 - 極薄Si層における熱凝集現象
1998 - Thermal Agglomeration of Ultrathin Si layer.
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MISC (13件)：
Yasuhiko Ishikawa, Minoru Kumezawa, Ratno Nuryadi, Michiharu Tabe. Effect of patterning on thermal agglomeration of ultrathin silicon-on-insulator layer. Applied Surface Science. 2002. 190. 1-4. 11-15
Y Ishikawa, M Kumezawa, R Nuryadi, M Tabe. Effect of patterning on thermal agglomeration of ultrathin silicon-on-insulator layer. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2002. 190. 1-4. 11-15
NURYADI R, ISHIKAWA Y, ONO Y, TABE M. Thermal Agglomeration of Single crystalline Si layer on Buried SiO
2
in Ultrathigh Vacuum. Journal of Vacuum Science and Technology B. 2002. 20. 1. 167-172
シリコンナ構造からの電子放出. 電子情報通信学会. 2002. J85-C. 9. 803-809
Thermal Agglomeration of Single crystalline Si layer on Buried SiO2 in Ultrathigh Vacuum. Journal of Vacuum Science and Technology B. 2002. 20. 1. 167-172
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学歴 (4件)：
- 2003 静岡大学 電子科学研究科 電子材料科学
- 2003 静岡大学
- 2000 静岡大学 理工学研究科 電気.電子工学
- 2000 静岡大学
学位 (2件)：
修士(工学) (静岡大学)
博士(工学) (静岡大学)
委員歴 (2件)：
応用物理学会 会員
The Japanese Society of Applied Physics member
所属学会 (2件)：
応用物理学会
, The Japanese Society of Applied Physics
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