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J-GLOBAL ID：200902168225170029   整理番号：02A0720085

シリコンナノ構造からの電子の電界放出

Electron Field Emission from Si Nanostructures.

著者 (6件)： 田部道晴 (静岡大) ,  沢田和明 (豊橋技科大) ,  NURYADI R (静岡大) ,  杉木幹生 (静岡大) ,  石川靖彦 (静岡大) ,  石田誠 (豊橋技科大)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J85-C  号： 9  ページ： 803-809  発行年： 2002年09月01日 
JST資料番号： S0623C  ISSN： 1345-2827  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 最近,カーボンナノチューブに代表されるnmオーダの構造体から...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

引用文献 (22件)：

• MATSUO, N. Conduction mechanism of oxide-nitride-oxide film formed on the rough polycrystalline silicon surface. Solid-State Electron. 1996, 39, 3, 337-342
• ISHIKAWA, Y. Concentratlon of electric field near Si dot/thermallygrown SiO_2 interface. Jpn. J. Appl. Phys. 2001, 40, 3B, 1866-1869
• 齋藤弥八. カーボンナノチューブからの電子の電界放出とC_20の電界蒸発. 表面科学. 2000, 21, 9
• KOMODA, T. Mechanism of efficient and stable surface-emitting cold cathode based on porous polycrystalline silicon films. J. Vac. Sci. Technol. B. 1999, 17, 1076-1079
• LIN, C. M. Field-emission enhancement of Mo-tip field-emitted arrays fabricated by using a redox method. IEEE Electron Device Lett. 2000, 21, 12, 560-562

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  ナノ構造 ,  電子 ,  電界放出