超高真空中における埋込みSiO<sub>2</sub>上の単結晶Si層の熱凝集

NURYADI R; ISHIKAWA Y; ONO Y; TABE M

文献

J-GLOBAL ID：200902118406422383 整理番号：02A0329852

超高真空中における埋込みSiO₂上の単結晶Si層の熱凝集

Thermal agglomeration of single-crystalline Si layer on buried SiO₂ in ultrahigh vacuum.

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資料名：
巻： 20 号： 1 ページ： 167-172 発行年： 2002年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

SOI構造における極薄Si層の熱凝集を1~15nmの層厚範囲...

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半導体薄膜 , 固相転移

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超高真空中における埋込みSiO2上の単結晶Si層の熱凝集

超高真空中における埋込みSiO₂上の単結晶Si層の熱凝集