MBEによる(411)A InP基板に格子整合したInGaAs/InAlAs量子井戸 (2)

文献

J-GLOBAL ID：200902104972684610 整理番号：97A0540434

InGaAs/InAlAs quantum wells grown on (411)A InP substrates by MBE. (2).

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=97A0540434&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0540434&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 44th 号： 3 ページ： 1297 発行年： 1997年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

, , , , ,

前のページに戻る