Photoluminescence study of Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>/Si heterostructures grown by molecular beam epitaxy and ultrahigh vacuum chemical vapor deposition.

文献

J-GLOBAL ID：200902165025971273 整理番号：93A0660385

Photoluminescence study of Si_1-xGe_x/Si heterostructures grown by molecular beam epitaxy and ultrahigh vacuum chemical vapor deposition.

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巻： 11 号： 3 ページ： 1089-1096 発行年： 1993年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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